Белорусские ученые презентовали новые достижения в области микроэлектроники во время пресс-тура в ГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника».

В конце 2024 года благодаря взаимодействию ученых с «Интегралом» получены первые транзисторы на основе нитрида галлия. Их характеристики уже на уровне лучших структур на основе кремния. Это одно из главных достижений отечественной науки во взаимодействии с промышленностью в сфере микроэлектроники.

Еще одно направление работы ученых – технологические лазеры, которые необходимы в микроэлектронике. Ранее использовались импортные изделия, сегодня создаются отечественные.
Белорусскими учеными созданы уникальные оптоволоконные системы, которые способны передавать СВЧ-сигналы на частотах до 50 ГГц с минимальным уровнем шумов.

Государственное научно-производственное объединение «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника» НАН Беларуси создано в конце 2011 года. В состав объединения входят Институт физики, Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий и Центр геофизического мониторинга. Объединение создавалось для внедрения практических разработок и более тесной работы с промышленностью.

По материалам БелТА